Тест показал, что базовая частота начальной версии чипа Snapdragon 8 Elite составляет 2,78 ГГц, а в режиме Boost она увеличивается до 4,09 ГГц. При этом чип потребляет более 20 Вт мощности и нагревается до 98,5 °C даже при обычном использовании. Как отмечает источник, снизить энергопотребление и температуру не получалось никакими методами.
Для сравнения, две разогнанные версии SoC для Galaxy S25 достигают показателей 2,90/4,19 ГГц и 3,53/4,47 ГГц соответственно, что является значительным результатом для мобильного устройства.
Указывается, что в тестировании могли быть задействованы инженерные версии чипов. При этом все измерения были проведены около трёх месяцев назад, и существует вероятность, что за этот период компания Qualcomm оптимизировала их работу.
